Tecnologia HJT 2.0 Combinando processo de obtenção e tecnologia uc-Si de lado único para garantir maior eficiência da célula e maior potência do módulo. -0,26%C Coeficiente de temperatura Pmax Desempenho de geração de energia mais estável e ainda melhor em climas quentes. Design SMBB com tecnologia Half-Cut Distância de transmissão de corrente mais curta, menos perda resistiva e maior eficiência celular. Até 90% de bifacialidade Estrutura bifacial simétrica natural trazendo mais rendimento de energia na parte traseira. Selagem com selante à base de PIB Maior resistência à água, maior impermeabilidade ao ar para prolongar a vida útil do módulo.

Tolerância de potência positiva (0-+5W) garantido Alta eficiência de conversão de módulo (até 22,82%) Degradação de energia mais lenta habilitado pela tecnologia Low LID: primeiro ano <1%,0,40% ano 2-30 Resistência PlD sólida pela otimização do processo de células solares e seleção cuidadosa do módulo BOM Perda resistiva reduzida com menor corrente operacional Maior rendimento energético com temperatura operacional mais baixa Risco reduzido de pontos quentes com projeto elétrico otimizado e menor corrente operacional