Tecnologia HJT 2.0Combinando processo de obtenção e tecnologia uc-Si de lado único para garantir maior eficiência da célula e maior potência do módulo.-0,26%C Coeficiente de temperatura PmaxDesempenho de geração de energia mais estável e ainda melhor em climas quentes.Design SMBB com tecnologia Half-CutDistância de transmissão de corrente mais curta, menos perda resistiva e maior eficiência celular.Até 90% de bifacialidadeEstrutura bifacial simétrica natural trazendo mais rendimento de energia na parte traseira.Selagem com selante à base de PIBMaior resistência à água, maior impermeabilidade ao ar para prolongar a vida útil do módulo.

HJT Tecnologia 2.0Combinando processo de obtenção e tecnologia uc-Si de lado único para garantir maior eficiência da célula e maior potência do módulo.-0,26%C Coeficiente de temperatura PmaxDesempenho de geração de energia mais estável e ainda melhor em climas quentes.Design SMBB com tecnologia Half-CutDistância de transmissão de corrente mais curta, menos perda resistiva e maior eficiência celular.Até 90% de bifacialidadeEstrutura bifacial simétrica natural trazendo mais rendimento de energia na parte traseira.Selagem com selante à base de PIBMaior resistência à água, maior impermeabilidade ao ar para prolongar a vida útil do módulo.

Tecnologia de múltiplos barramentosMelhor captura de luz e coleta de corrente para melhorar a potência e a confiabilidade do móduloPerda reduzida de pontos quentesDesign elétrico otimizado e menor corrente operacional para redução da perda de pontos quentes e melhor coeficiente de temperaturaDurabilidade Contra Condições ambientais extremas Alta névoa salina e resistência à amôniaCarga Mecânica Aprimorada Certificado para suportar: carga de vento (2400 Pascel) e carga de neve (5400 Pascal). 

Tolerância de potência positiva (0-+5W) garantido Alta eficiência de conversão de módulo (até 22,53%) Degradação de energia mais lenta habilitado pela tecnologia Low LID: primeiro ano <1%,0,40% ano 2-30 Resistência PlD sólida pela otimização do processo de células solares e seleção cuidadosa do módulo BOM Perda resistiva reduzida com menor corrente operacional Maior rendimento energético com temperatura operacional mais baixa Risco reduzido de pontos quentes com projeto elétrico otimizado e menor corrente operacional

Tolerância de potência positiva (0-+5W) garantido Alta eficiência de conversão de módulo (até 22,53%) Degradação de energia mais lenta habilitado pela tecnologia Low LID: primeiro ano <1%,0,40% ano 2-30 Resistência PlD sólida pela otimização do processo de células solares e seleção cuidadosa do módulo BOM Perda resistiva reduzida com menor corrente operacional Maior rendimento energético com temperatura operacional mais baixa Risco reduzido de pontos quentes com projeto elétrico otimizado e menor corrente operacional

Tolerância de potência positiva (0-+5W) garantido Alta eficiência de conversão de módulo (até 23,04%) Degradação de energia mais lenta habilitado pela tecnologia Low LID: primeiro ano <1%,0,40% ano 2-30 Resistência PlD sólida pela otimização do processo de células solares e seleção cuidadosa do módulo BOM Perda resistiva reduzida com menor corrente operacional Maior rendimento energético com temperatura operacional mais baixa Risco reduzido de pontos quentes com projeto elétrico otimizado e menor corrente operacional

Tolerância de potência positiva (0-+5W) garantidoAlta eficiência de conversão de módulo (até 23,04%)Degradação de energia mais lenta habilitado pela tecnologia Low LID: primeiro ano

Tolerância de potência positiva (0-+5W) garantido Alta eficiência de conversão de módulo (até 22,82%) Degradação de energia mais lenta habilitado pela tecnologia Low LID: primeiro ano <1%,0,40% ano 2-30 Resistência PlD sólida pela otimização do processo de células solares e seleção cuidadosa do módulo BOM Perda resistiva reduzida com menor corrente operacional Maior rendimento energético com temperatura operacional mais baixa Risco reduzido de pontos quentes com projeto elétrico otimizado e menor corrente operacional

Tecnologia HJT 2.0 Combinando processo de obtenção e tecnologia uc-Si de lado único para garantir maior eficiência da célula e maior potência do módulo. -0,26%C Coeficiente de temperatura Pmax Desempenho de geração de energia mais estável e ainda melhor em climas quentes. Design SMBB com tecnologia Half-Cut Distância de transmissão de corrente mais curta, menos perda resistiva e maior eficiência celular. Até 90% de bifacialidade Estrutura bifacial simétrica natural trazendo mais rendimento de energia na parte traseira. Selagem com selante à base de PIB Maior resistência à água, maior impermeabilidade ao ar para prolongar a vida útil do módulo.

Tecnologia HJT 2.0 Combinando processo de obtenção e tecnologia uc-Si de lado único para garantir maior eficiência da célula e maior potência do módulo. -0,26%C Coeficiente de temperatura Pmax Desempenho de geração de energia mais estável e ainda melhor em climas quentes. Design SMBB com tecnologia Half-Cut Distância de transmissão de corrente mais curta, menos perda resistiva e maior eficiência celular. Até 90% de bifacialidade Estrutura bifacial simétrica natural trazendo mais rendimento de energia na parte traseira. Selagem com selante à base de PIB Maior resistência à água, maior impermeabilidade ao ar para prolongar a vida útil do módulo.

Tecnologia HJT 2.0 Combinando processo de obtenção e tecnologia uc-Si de lado único para garantir maior eficiência da célula e maior potência do módulo. -0,26%C Coeficiente de temperatura Pmax Desempenho de geração de energia mais estável e ainda melhor em climas quentes. Design SMBB com tecnologia Half-Cut Distância de transmissão de corrente mais curta, menos perda resistiva e maior eficiência celular. Até 90% de bifacialidade Estrutura bifacial simétrica natural trazendo mais rendimento de energia na parte traseira. Selagem com selante à base de PIB Maior resistência à água, maior impermeabilidade ao ar para prolongar a vida útil do módulo.